Samsung 10nm fabrikasyon süreciyle üreteceği 128 MB kapasiteli SRAM tampon bellek yongalarının geliştirme sürecini tamamladı.
Silikon üretim teknikleri konusunda son yıllarda büyük atağa kalkarak piyasanın köklü oyuncularını zor durumda bırakan Samsung, yeni bir gelişmeyle daha karşımızda. Yeni fabrikasyon süreçleri konusunda çalışmalarına hız kesmeden devam eden Güney Koreli elektronik devi, Intel ve TSMC'yi geride bırakarak ilk 10nm SRAM yongasını hazırladı. İşlemciler için yüksek performanslı ve statik depolama sağlayan SRAM yongaları işlemci içerisine entegre edilebildiği gibi tek bir paketlemede işlemcinin yanına da yerleştirilebiliyor. Mevcut 14 ve 16nm FinFet SRAM yongalarına kıyasla %40 daha az zar alanı kullanan ve enerji tüketimi de ciddi oranda düşürülen 10nm'lik yongaları 2016 yılının son döneminden itibaren akıllı telefonlarda görmek mümkün olacak.
